Imprimare pagină
SCTW100N65G2AG
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 100 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
331 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 211,180 lei |
| 5+ | 184,760 lei |
| 10+ | 153,110 lei |
| 50+ | 137,260 lei |
| 100+ | 126,700 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
211,18 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorSTMICROELECTRONICS
Nr. de reper producătorSCTW100N65G2AG
Cod de comandă3387273
Fişă tehnică
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.1V
Power Dissipation420W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prezentare generală a produsului
SCTW100N65G2AG is an automotive-grade silicon carbide power MOSFET. This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
- AEC-Q101 qualified
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Extremely low gate charge and input capacitance
- Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
- 650V drain-source voltage
- 100A drain current (continuous) at TC = 25°C
- 420W total power dissipation at TC = 25°C
- HiP247 package
- Operating junction temperature range from -55 to 200°C
Specificaţii tehnice
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.1V
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
420W
Product Range
-
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.0045
Trasabilitatea produsului