Imprimare pagină
STH110N8F7-2
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 110 A, 0.0056 ohm, H2PAK-2, Surface Mount
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Detalii tehnice
ProducătorSTMICROELECTRONICS
Nr. de reper producătorSTH110N8F7-2
Cod de comandă2729693
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source On State Resistance0.0056ohm
Transistor Case StyleH2PAK-2
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation170W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
110A
Transistor Case Style
H2PAK-2
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0056ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.00138
Trasabilitatea produsului