Imprimare pagină
STL42P6LLF6
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 42 A, 0.023 ohm, PowerFLAT, Surface Mount
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorSTMICROELECTRONICS
Nr. de reper producătorSTL42P6LLF6
Cod de comandă2807202
Gamă de produseSTripFET F6
Fişă tehnică
3.540 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare EXPRESS în 1-2 zile lucrătoare
Comandați înainte de ora 17:00
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 11,680 lei |
| 10+ | 7,980 lei |
| 100+ | 5,440 lei |
| 500+ | 4,370 lei |
| 1000+ | 4,250 lei |
| 5000+ | 3,580 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 1
Mai multe: 1
11,68 lei (fără TVA)
notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorSTMICROELECTRONICS
Nr. de reper producătorSTL42P6LLF6
Cod de comandă2807202
Gamă de produseSTripFET F6
Fişă tehnică
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id42A
Drain Source On State Resistance0.023ohm
Transistor Case StylePowerFLAT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation100W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F6
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Prezentare generală a produsului
STL42P6LLF6 is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology with a new trench gate structure. Suitable for switching applications.
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
- Drain-source breakdown voltage is -60V at VGS = 0V, ID = -250µA
- Drain current (continuous) at TC = 25°C is -42A
- 34mohm max static drain-source on resistance
- PowerFLAT 5x6 package
- Operating junction temperature range from -55 to 175°C
Avertismente
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specificaţii tehnice
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
42A
Transistor Case Style
PowerFLAT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
STripFET F6
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000142
Trasabilitatea produsului