Imprimare pagină
STN3N45K3
Power MOSFET, N Channel, 450 V, 600 mA, 3.2 ohm, SOT-223, Surface Mount
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
5.295 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare EXPRESS în 1-2 zile lucrătoare
Comandați înainte de ora 17:00
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 3,910 lei |
| 10+ | 2,790 lei |
| 100+ | 1,960 lei |
| 500+ | 1,880 lei |
| 1000+ | 1,770 lei |
| 5000+ | 1,490 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
3,91 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorSTMICROELECTRONICS
Nr. de reper producătorSTN3N45K3
Cod de comandă2098284
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds450V
Continuous Drain Current Id600mA
Drain Source On State Resistance3.2ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation2W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prezentare generală a produsului
The STN3N45K3 is a 450V N-channel Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET with a new optimized vertical structure. The MOSFET boasts an extremely low on resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering it suitable for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Extremely high dv/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitance
- Improved diode reverse recovery characteristics
- Zener-protected
Aplicaţii
Industrial
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
600mA
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
450V
Drain Source On State Resistance
3.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000172
Trasabilitatea produsului