Imprimare pagină
STP2NK90Z
Power MOSFET, N Channel, 900 V, 2.1 A, 6.5 ohm, TO-220, Through Hole
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
608 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 10,720 lei |
| 10+ | 5,940 lei |
| 100+ | 5,740 lei |
| 500+ | 5,020 lei |
| 1000+ | 4,240 lei |
| 5000+ | 3,780 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
10,72 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorSTMICROELECTRONICS
Nr. de reper producătorSTP2NK90Z
Cod de comandă9512780
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds900V
Continuous Drain Current Id2.1A
Drain Source On State Resistance6.5ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation70W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Prezentare generală a produsului
The STP2NK90Z is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage Power MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.
- Extremely high dV/dt capability
- Improved ESD capability
- Very good manufacturing repeatability
Aplicaţii
Industrial, Power Management
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.1A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
70W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
900V
Drain Source On State Resistance
6.5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentaţie tehnică (2)
Produse asociate
1 produs găsit
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.002