Imprimare pagină
STP80NF10
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220, Through Hole
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorSTMICROELECTRONICS
Nr. de reper producătorSTP80NF10
Cod de comandă9935681
Numărul dvs. de piesă
Fişă tehnică
9.576 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare EXPRESS în 1-2 zile lucrătoare
Comandați înainte de ora 17:00
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 16,870 lei |
| 10+ | 9,140 lei |
| 100+ | 8,590 lei |
| 500+ | 6,650 lei |
| 1000+ | 6,150 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
16,87 lei (fără TVA)
notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Detalii tehnice
ProducătorSTMICROELECTRONICS
Nr. de reper producătorSTP80NF10
Cod de comandă9935681
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.015ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Prezentare generală a produsului
The STP80NF10 is a 100V N-channel STripFET™ II Power MOSFET realized with unique STripFET process. It has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced high efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer application. It is also intended for any application with low gate charge drive requirements. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Exceptional dv/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Application oriented characterization
Aplicaţii
Industrial, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.015ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentaţie tehnică (2)
Alternative pentru STP80NF10
4 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Morocco
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Morocco
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Y-Ex
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.002