Imprimare pagină
STW20N95K5
Power MOSFET, N Channel, 950 V, 17.5 A, 0.275 ohm, TO-247, Through Hole
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
2.192 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare EXPRESS în 1-2 zile lucrătoare
Comandați înainte de ora 17:00
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 30,780 lei |
| 5+ | 27,890 lei |
| 10+ | 24,940 lei |
| 50+ | 22,050 lei |
| 100+ | 19,100 lei |
| 250+ | 16,210 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
30,78 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorSTMICROELECTRONICS
Nr. de reper producătorSTW20N95K5
Cod de comandă2341733
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds950V
Continuous Drain Current Id17.5A
Drain Source On State Resistance0.275ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prezentare generală a produsului
The STW20N95K5 is a 950V N-channel Power MOSFET developed using SuperMESH™ 5 technology. This revolutionary, avalanche-rugged, high voltage Power MOSFET technology is based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a drastic reduction in on-resistance and ultra low gate charge for applications which require superior power density and high efficiency. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Worldwide best RDS (on)
- Worldwide best FOM (figure of merit)
- Ultra low gate charge
- 100% Avalanche tested
- Zener-protected
Aplicaţii
Industrial
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17.5A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
950V
Drain Source On State Resistance
0.275ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.006858