Imprimare pagină
STW20NK50Z
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 17 A, 0.23 ohm, TO-247, Through Hole
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorSTMICROELECTRONICS
Nr. de reper producătorSTW20NK50Z
Cod de comandă9803890
Gamă de produseSTW
Fişă tehnică
1.238 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare EXPRESS în 1-2 zile lucrătoare
Comandați înainte de ora 17:00
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 17,630 lei |
| 10+ | 9,190 lei |
| 100+ | 8,840 lei |
| 500+ | 8,790 lei |
| 1000+ | 8,740 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
17,63 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorSTMICROELECTRONICS
Nr. de reper producătorSTW20NK50Z
Cod de comandă9803890
Gamă de produseSTW
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source On State Resistance0.23ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation190W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSTW
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Prezentare generală a produsului
The STW20NK50Z is a 500V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Extremely high dv/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitance
Aplicaţii
Industrial
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
190W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.23ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STW
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documentaţie tehnică (2)
Alternative pentru STW20NK50Z
2 produse găsite
Produse asociate
1 produs găsit
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Y-Ex
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.004309
Trasabilitatea produsului