Imprimare pagină
STW9N150
Power MOSFET, N Channel, 1.5 kV, 8 A, 1.8 ohm, TO-247, Through Hole
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
5.658 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 44,450 lei |
| 5+ | 43,480 lei |
| 10+ | 42,520 lei |
| 50+ | 25,500 lei |
| 100+ | 22,450 lei |
| 250+ | 21,340 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
44,45 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorSTMICROELECTRONICS
Nr. de reper producătorSTW9N150
Cod de comandă2098402
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.5kV
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance1.8ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation320W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prezentare generală a produsului
The STW9N150 is a 1500V N-channel Power MOSFET developed using the well consolidated high voltage MESH OVERLAY™ process. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure gives the lowest RDS (on) per area, unrivalled gate charge and switching characteristics. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- 100% Avalanche tested
- Avalanche ruggedness
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitance
- High speed switching
- Very low on-resistance
Aplicaţii
Industrial
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
320W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
1.5kV
Drain Source On State Resistance
1.8ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentaţie tehnică (2)
Produse asociate
1 produs găsit
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.006588