Imprimare pagină
2SC5200-O(Q)
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3PL, Through Hole
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorTOSHIBA
Nr. de reper producător2SC5200-O(Q)
Cod de comandă3870093
Cunoscut şi sub denumirea de2SC5200
Fişă tehnică
Disponibile pentru comandă
Anunțați-mă când există în stoc
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 20,420 lei |
| 10+ | 13,410 lei |
| 100+ | 9,450 lei |
| 500+ | 7,820 lei |
| 1000+ | 7,620 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
20,42 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorTOSHIBA
Nr. de reper producător2SC5200-O(Q)
Cod de comandă3870093
Cunoscut şi sub denumirea de2SC5200
Fişă tehnică
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max230V
Continuous Collector Current15A
Power Dissipation150W
Transistor Case StyleTO-3PL
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency30MHz
DC Current Gain hFE Min55hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Prezentare generală a produsului
2SC5200-O(Q) is a silicon NPN triple diffused type transistor for power amplifier application.
- High breakdown voltage VCEO = 230V (min)
- Complementary to 2SA1943
- Suitable for use in 100W high fidelity audio amplifier’s output stage
- 150W collector power dissipation (Tc=25°C), 200pF (VCB=10V, IE=0, f=1MHz) collector O/P capacitance
- Collector cut-off current is 5μA max (VCB = 230V, IE = 0A, Ta = 25°C)
- Emitter cut-off current is 5μA max (VEB = 5V, IC = 0A, Ta = 25°C)
- Collector-emitter breakdown voltage is 230V min (IC = 50mA, IB = 0A, Ta = 25°C)
- Collector-emitter saturation voltage is 0.4V typ (IC = 8A, IB = 0.8A, Ta = 25°C)
- Transition frequency is 30MHz typ (VCE = 5V, IC = 1A, Ta = 25°C)
- Junction temperature is 150°C
Specificaţii tehnice
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
15A
Transistor Case Style
TO-3PL
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
55hFE
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Collector Emitter Voltage Max
230V
Power Dissipation
150W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
30MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Japan
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Japan
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Y-Ex
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:To Be Advised
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.009525
Trasabilitatea produsului