Imprimare pagină
2N6331
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 100 V, 30 A, 200 W, TO-3, Through Hole
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu se mai produce
Detalii tehnice
ProducătorTT ELECTRONICS / SEMELAB
Nr. de reper producător2N6331
Cod de comandă1182793
Fişă tehnică
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max100V
Continuous Collector Current30A
Power Dissipation200W
Transistor Case StyleTO-3
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins2Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min6hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (16-Jul-2019)
Specificaţii tehnice
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
30A
Transistor Case Style
TO-3
No. of Pins
2Pins
DC Current Gain hFE Min
6hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation
200W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (16-Jul-2019)
Documentaţie tehnică (1)
Produse asociate
1 produs găsit
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:United States
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:United States
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (16-Jul-2019)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.0115