Imprimare pagină
BUP52.R
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 200 V, 70 A, 300 W, TO-3, Through Hole
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu mai este în stoc
Detalii tehnice
ProducătorTT ELECTRONICS / SEMELAB
Nr. de reper producătorBUP52.R
Cod de comandă1208613
Fişă tehnică
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max200V
Continuous Collector Current70A
Power Dissipation300W
Transistor Case StyleTO-3
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins2Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min20hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
Specificaţii tehnice
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
70A
Transistor Case Style
TO-3
No. of Pins
2Pins
DC Current Gain hFE Min
20hFE
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
200V
Power Dissipation
300W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
Documentaţie tehnică (1)
Produse asociate
3 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Great Britain
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Great Britain
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.0115