Imprimare pagină
MG6331-R
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 260 V, 18 A, 300 W, TO-3P, Through Hole
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu mai este în stoc
Detalii tehnice
ProducătorTT ELECTRONICS / SEMELAB
Nr. de reper producătorMG6331-R
Cod de comandă1856780
Fişă tehnică
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max260V
Continuous Collector Current18A
Power Dissipation300W
Transistor Case StyleTO-3P
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency60MHz
DC Current Gain hFE Min70hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Specificaţii tehnice
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
18A
Transistor Case Style
TO-3P
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
70hFE
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
260V
Power Dissipation
300W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
60MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentaţie tehnică (1)
Produse asociate
5 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Great Britain
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Great Britain
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.006