Imprimare pagină
IRF510SPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
1.508 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 5,230 lei |
| 10+ | 5,060 lei |
| 100+ | 3,010 lei |
| 500+ | 2,950 lei |
| 1000+ | 2,880 lei |
| 5000+ | 2,600 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
5,23 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorVISHAY
Nr. de reper producătorIRF510SPBF
Cod de comandă8648212
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id5.6A
Drain Source On State Resistance0.54ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation43W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Prezentare generală a produsului
The IRF510SPBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The D2PAK is a surface-mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest power capability in any existing surface-mount package. The D2PAK is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- -55 to 175°C Operating temperature range
- Ease of paralleling
- Surface-mount
Aplicaţii
Industrial, Power Management
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.6A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
43W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.54ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Y-Ex
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.0018
Trasabilitatea produsului