Imprimare pagină
MXP120A080FW-GE3
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247AD
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
633 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare EXPRESS în 1-2 zile lucrătoare
Comandați înainte de ora 17:00
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 55,370 lei |
| 5+ | 50,240 lei |
| 10+ | 45,110 lei |
| 50+ | 44,040 lei |
| 100+ | 42,930 lei |
| 250+ | 42,060 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
55,37 lei (fără TVA)
notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorVISHAY
Nr. de reper producătorMXP120A080FW-GE3
Cod de comandă4561974
Fişă tehnică
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247AD
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation139W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Prezentare generală a produsului
MXP120A080FW-GE3 is a MaxSiC™ 1200V N-channel SiC MOSFET in a TO-247 package. Typical applications charger, auxiliary motor drive and DC/DC converter.
- Fast switching speed
- Short circuit withstand time 3μs
- 80mohm drain source on state resistance at VGS=20V
- 29A continuous drain current
- 139W power dissipation
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
Specificaţii tehnice
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
29A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
-
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247AD
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
139W
Product Range
-
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Y-Ex
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000001