Imprimare pagină
SI1025X-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 60 V, 60 V, 190 mA, 190 mA, 4 ohm
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
16.283 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,800 lei |
| 10+ | 1,950 lei |
| 100+ | 1,410 lei |
| 500+ | 1,040 lei |
| 1000+ | 0,790 lei |
| 5000+ | 0,720 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
2,80 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorVISHAY
Nr. de reper producătorSI1025X-T1-GE3
Cod de comandă2335271
Fişă tehnică
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel190mA
Continuous Drain Current Id P Channel190mA
Drain Source On State Resistance N Channel4ohm
Drain Source On State Resistance P Channel4ohm
Transistor Case StyleSC-89
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel250mW
Power Dissipation P Channel250mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Prezentare generală a produsului
The SI1025X-T1-GE3 is a P-channel MOSFET designed for use with relays, solenoids, lamps, hammers, displays, memories and transistor driver, battery operated systems, power supply converter circuits and solid state relay applications. It offers ease in driving switches, low offset voltage, low-voltage operation, high-speed circuits, easily driven without buffer and small board area.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
- High-side switching
- 4Ω Low ON-resistance
- 2V Low threshold
- 20ns Fast switching speed
- 23pF Low input capacitance
- Miniature package
Aplicaţii
Industrial, Power Management
Specificaţii tehnice
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
190mA
Drain Source On State Resistance P Channel
4ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
250mW
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
190mA
Drain Source On State Resistance N Channel
4ohm
Transistor Case Style
SC-89
Power Dissipation N Channel
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.0005
Trasabilitatea produsului