Imprimare pagină
SI1050X-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 8 V, 1.3 A, 0.086 ohm, SC-89, Surface Mount
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu se mai produce
Detalii tehnice
ProducătorVISHAY
Nr. de reper producătorSI1050X-T1-E3
Cod de comandă1497588
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id1.3A
Drain Source On State Resistance0.086ohm
Transistor Case StyleSC-89
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation236mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.3A
Transistor Case Style
SC-89
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
236mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
0.086ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Philippines
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Philippines
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:În aşteptare
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.00015