Imprimare pagină
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Detalii tehnice
ProducătorVISHAY
Nr. de reper producătorSI3499DV-T1-GE3
Cod de comandă2101442
Fişă tehnică
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id5.3A
Drain Source On State Resistance0.023ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max350mV
Power Dissipation1.1W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Alternative pentru SI3499DV-T1-GE3
1 produs găsit
Prezentare generală a produsului
The SI3499DV-T1-GE3 is a 1.5VGS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
- 1.5V Rated voltage
- Ultra-low ON-resistance
- 100% Rg tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Aplicaţii
Industrial, Power Management, Portable Devices
Specificaţii tehnice
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.3A
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
0.023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
350mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
Documentaţie tehnică (3)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:În aşteptare
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000047