Imprimare pagină
SI7617DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 35 A, 0.0123 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
34.068 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare EXPRESS în 1-2 zile lucrătoare
Comandați înainte de ora 17:00
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 100+ | 2,390 lei |
| 500+ | 1,850 lei |
| 1000+ | 1,680 lei |
| 5000+ | 1,630 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 100
Mai multe: 1
259,00 lei (fără TVA)
Pentru acest produs va fi adăugată o taxă rebobinare de 20,00 lei
notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorVISHAY
Nr. de reper producătorSI7617DN-T1-GE3
Cod de comandă2101453RL
Fişă tehnică
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.0123ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Prezentare generală a produsului
The SI7617DN-T1-GE3 is a -30V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for use in notebook battery charging and adapter switch applications. The P-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mΩ and with the capability to handle 85A.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Aplicaţii
Power Management, Computers & Computer Peripherals
Specificaţii tehnice
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0123ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentaţie tehnică (2)
Alternative pentru SI7617DN-T1-GE3
8 produse găsite
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000226