Imprimare pagină
SI8416DB-T2-E1
Power MOSFET, N Channel, 8 V, 16 A, 0.019 ohm, MICRO FOOT, Surface Mount
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
Nu mai este în stoc
Detalii tehnice
ProducătorVISHAY
Nr. de reper producătorSI8416DB-T2-E1
Cod de comandă2283649
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.019ohm
Transistor Case StyleMICRO FOOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max350mV
Power Dissipation13W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
Transistor Case Style
MICRO FOOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
13W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
350mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.00012
Trasabilitatea produsului