Imprimare pagină
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorVISHAY
Nr. de reper producătorSIR150DP-T1-RE3
Cod de comandă3263510RL
Gamă de produseTrenchFET Gen IV
Fişă tehnică
12.684 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare EXPRESS în 1-2 zile lucrătoare
Comandați înainte de ora 17:00
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
Cantitate | Preț (fără TVA) |
---|---|
100+ | 2,670 lei |
500+ | 2,200 lei |
1000+ | 1,910 lei |
5000+ | 1,730 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 100
Mai multe: 1
287,00 lei (fără TVA)
Pentru acest produs va fi adăugată o taxă rebobinare de 20,00 lei
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorVISHAY
Nr. de reper producătorSIR150DP-T1-RE3
Cod de comandă3263510RL
Gamă de produseTrenchFET Gen IV
Fişă tehnică
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds45V
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source On State Resistance0.00271ohm
On Resistance Rds(on)0.00225ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation65.7W
Power Dissipation Pd65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Prezentare generală a produsului
Avertismente
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specificaţii tehnice
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
45V
Drain Source On State Resistance
0.00271ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65.7W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
110A
On Resistance Rds(on)
0.00225ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
Power Dissipation Pd
65.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentaţie tehnică (3)
Alternative pentru SIR150DP-T1-RE3
1 produs găsit
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000172
Trasabilitatea produsului