Imprimare pagină
SIS443DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 35 A, 0.0097 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
43.214 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 8,280 lei |
| 10+ | 5,790 lei |
| 100+ | 4,480 lei |
| 500+ | 3,390 lei |
| 1000+ | 3,100 lei |
| 5000+ | 2,750 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
8,28 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorVISHAY
Nr. de reper producătorSIS443DN-T1-GE3
Cod de comandă2364099
Fişă tehnică
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.0097ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Prezentare generală a produsului
The SIS443DN-T1-GE3 is a -40V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for use in notebook battery charging, DC/DC converter and adapter switch applications. The P-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mΩ and with the capability to handle 85A.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Aplicaţii
Power Management, Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals
Specificaţii tehnice
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0097ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Taiwan
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Taiwan
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.002