Imprimare pagină
81 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
În limita stocului disponibil
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 226,920 lei |
| 5+ | 220,270 lei |
| 10+ | 213,610 lei |
| 50+ | 159,720 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
226,92 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorWOLFSPEED
Nr. de reper producătorC3M0030090K
Cod de comandă2843640
Gamă de produseC3M
Fişă tehnică
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id63A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation149W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeC3M
SVHCTo Be Advised
Alternative pentru C3M0030090K
2 produse găsite
Prezentare generală a produsului
The C3M0030090K is a silicon carbide power MOSFET using C3M MOSFET technology in 4 pin TO-247 package. It features 900V drain to source voltage and 63A continuous drain current at VGS = 15V, TC = 25˚C. Typical applications include solar inverters, EV battery chargers, High voltage DC/DC converters and switch mode power supplies.
- Optimized package with separate driver source pin
- 8mm of creepage distance between drain and source
- High blocking voltage with low on-resistance
- High-speed switching with low capacitances
- Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)
- Reduce switching losses and minimize gate ringing
- Higher system efficiency Reduce cooling requirements
- Increased power density and system switching frequency
- Operating junction and storage temperature from -55 to +150˚C
Avertismente
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specificaţii tehnice
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
63A
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
149W
Product Range
C3M
Documentaţie tehnică (3)
Produse asociate
1 produs găsit
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Philippines
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:Philippines
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:To Be Advised
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.008673