Imprimare pagină
CGD15HB62LP
Evaluation Board, CGD15HB62LP Gate Driver, For High-Performance Power Module Platform
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
2 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
Livrare în 1-2 zile
Livrare standard pentru comenzile efectuate înainte de ora 17:00
În limita stocului disponibil
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 2.030,480 lei |
Preţ pentru:Each
Minim: 1
Mai multe: 1
2.030,48 lei (fără TVA)
Adăugare nr. piesă /notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorWOLFSPEED
Nr. de reper producătorCGD15HB62LP
Cod de comandă3212281
Fişă tehnică
Silicon ManufacturerWolfspeed
Silicon Core NumberCAS325M12HM2
Kit Application TypePower Management
Application Sub TypeSiC MOSFET
Kit ContentsEvaluation Board CAS325M12HM2
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Alternative pentru CGD15HB62LP
2 produse găsite
Prezentare generală a produsului
Form factor fitting, dual channel gate driver board for the high-performance power module platform. Each of the two gate drive channels is protected against over-current and reverse polarity. The CGD15HB62LP is capable of operating in ambient temperatures of up to 95°C.
- Optimized for Cree’s High Performance CAS325M12HM2 Half Bridge Power Modules
- High-Frequency, Ultra-Fast Switching Operation
- On-board 3W or 6W isolated power supplies
- Configurable UVLO with hysteresis
- Direct mount low inductance design
- On-board overcurrent, overlap and reverse polarity protection
- Differential inputs for increased noise immunity
- DC bus voltages up to 1000V
- Supply voltage range from 9V to 18V
- Output peak current of ±14A
Specificaţii tehnice
Silicon Manufacturer
Wolfspeed
Kit Application Type
Power Management
Kit Contents
Evaluation Board CAS325M12HM2
SVHC
To Be Advised
Silicon Core Number
CAS325M12HM2
Application Sub Type
SiC MOSFET
Product Range
-
Documentaţie tehnică (1)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:United States
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:United States
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:În aşteptare
SVHC:To Be Advised
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.223