Imprimare pagină
BFS483H6327XTSA1
Bipolar - RF Transistor, Dual NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-363
Imaginea are caracter strict ilustrativ. Vă rugăm consultaţi descrierea produsului.
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorBFS483H6327XTSA1
Cod de comandă2480691
Cunoscut şi sub denumirea deBFS 483 H6327, SP000750464
Fişă tehnică
2.770 În Stoc
Aveți nevoie de mai mult?
.
.
Livrarea Standard GRATUITĂ
la comenzi în valoare de 0,00 lei și peste
Timpul exact de livrare va fi calculat la checkout
| Cantitate | Preț (fără TVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,630 lei |
| 10+ | 1,930 lei |
| 100+ | 1,580 lei |
| 500+ | 1,430 lei |
| 1000+ | 1,410 lei |
| 5000+ | 1,370 lei |
Preţ pentru:Each (Supplied on Cut Tape)
Minim: 1
Mai multe: 1
2,63 lei (fără TVA)
notă
Adăugat la Confirmarea comenzii, Factură și Buletinul de expediție numai pentru această comandă.
Acest număr va fi adăugat la Confirmarea comenzii, Factură, Buletinul de expediție, E-mailul de confirmare online și Eticheta produsului.
Detalii tehnice
ProducătorINFINEON
Nr. de reper producătorBFS483H6327XTSA1
Cod de comandă2480691
Cunoscut şi sub denumirea deBFS 483 H6327, SP000750464
Fişă tehnică
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max12V
Transition Frequency8GHz
Power Dissipation450mW
Continuous Collector Current65mA
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
DC Current Gain hFE Min70hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prezentare generală a produsului
The BFS 483 H6327 is a NPN Silicon RF Transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 to 30mA. It is suitable for use with amplifier and oscillator applications in RF front-end.
- Two (galvanic) internal isolated transistor in one package
Aplicaţii
Industrial, Wireless, Power Management
Specificaţii tehnice
Transistor Polarity
Dual NPN
Transition Frequency
8GHz
Continuous Collector Current
65mA
No. of Pins
6Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
12V
Power Dissipation
450mW
Transistor Case Style
SOT-363
DC Current Gain hFE Min
70hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentaţie tehnică (2)
Legislaţie şi reglementări privind protecţia mediului
Ţara de origine:
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuatŢara de origine:China
Tara in care ultimul proces semnificativ de fabricare a fost efectuat
Nr. tarif:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformitate cu RoHS:Da
RoHS
Conform cu RoHS în ceea ce priveşte ftalaţii:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Descărcarea Certificatului de conformitate a produsului
Certificat de conformitate produs
Greutate (kg):.000004
Trasabilitatea produsului